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外部元器件的主要參數(shù)

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外部元器件的主要參數(shù)

各外部元器件的主要參數(shù),可以在設(shè)計(jì)時(shí)參考,另外對(duì)于下述元器件還應(yīng)注意以下問(wèn)題。


①功率開(kāi)關(guān)管

MAX5003的外部功率開(kāi)關(guān)管為N溝道 MOSFET,主要考慮參數(shù)為較大漏極電壓、較大導(dǎo)通電阻RoN)和柵極開(kāi)關(guān)電荷量。其中,柵極開(kāi)關(guān)電荷量將直接影響MAX5003的內(nèi)部功耗,導(dǎo)通電阻 RDGCONY決定開(kāi)關(guān)的總功耗。具體選擇時(shí)需考慮效率、散熱封裝形式等,較大漏極電壓的設(shè)置與系統(tǒng)結(jié)構(gòu)有關(guān),如采用反激式結(jié)構(gòu),較大漏極電壓為較大輸入電壓與變壓器副邊反射電壓、開(kāi)關(guān)導(dǎo)通時(shí)的自激電壓、漏電感產(chǎn)生的尖峰電壓的和MOSFET的較佳選擇是在保證滿足較大漏極電壓的條件下,總開(kāi)關(guān)電荷量與RDON)較小


變壓器

依照設(shè)計(jì)過(guò)程中計(jì)算出的有關(guān)參數(shù),應(yīng)盡量選用現(xiàn)有的標(biāo)準(zhǔn)型,主要應(yīng)考慮:飽和電流、原級(jí)電感量、匝數(shù)比、損耗等參數(shù)以及封裝形式、EMI輻射、磁化系數(shù)等因素,在安裝時(shí)引線要盡量短,為抑制EMI輻射,還需加外部屏蔽;輸入電壓較高時(shí),也要考慮絕緣關(guān)


③電容

由于MAX5003為高頻電源,濾波電容需具有極低的等效串聯(lián)電阻(ESR)和等效串聯(lián)電感(ESL)。工作頻率為300kHz時(shí),較好選用瓷片電容或有機(jī)半導(dǎo)體( OS CON)電容。ESR是較為關(guān)鍵的參數(shù),特別是反饋網(wǎng)絡(luò)中的電容


二極管

二極管的選擇取決于輸出電壓的范圍,二極管的正向?qū)▔航抵苯佑绊懴到y(tǒng)的損耗,須選擇低導(dǎo)通壓降二極管,較好選用肖特基二極管。在應(yīng)用中,肖特基二極管的反向電壓無(wú)法滿足要求,可選用快恢復(fù)二極管。另外,在任何情況下都需考慮峰值電流、平均電流、較大反向電壓以及所能允許的二極管損耗。


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| 發(fā)布時(shí)間:2018.06.03    來(lái)源:電源適配器廠家
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