充電器變壓器設計步驟

步驟2，原邊匝數(shù)

由于原邊波形是方波，利用法拉第定理可以計算較小原邊匝數(shù)：

式中，Vcc（較大）=較大的直流充電器電壓（380V）；

ton=較大導通時間，μs（10μs）；

B=較大磁通密度，T（0.29T）；

Ae=有效磁心面積，mm2（120mm2）。

因此

注意：由于所選的磁通水平是基于對磁心損耗的考慮而不是較大磁通密度，故在此使用的A。是有效磁心面積而不是較小面積。

步驟3，計算副邊匝數(shù)

要求的輸出電壓是5V。根據(jù)該例中使用的LC濾波器，變壓器副邊輸出電壓V，由下式得到:

式中，Vs=副邊電壓；

Vout=要求的輸出電壓（5V）。

本例中在50%大占空比（即較小輸入電壓時的占空比）下計算副邊電壓。因此，tm=t，則計算的副邊電壓V，為：

考慮二極管壓降、導線和電感電阻損耗導致的附加電壓，副邊電壓V，為11V。

本例中，使用了較大導通時間，計算出來的副邊電壓是可使用的較小值。這必須在較小充電器電壓時有效，因此較小副邊匝數(shù)應在這些條件下計算。

充電器電壓是85V時，Vcc是209V。

允許每個場效應管 MOSFET1和 MOSFET有2V的壓降，則加在變壓器原邊的電壓Vp是

因此較小副邊匝數(shù)是

匝數(shù)取整數(shù)6匝，原邊匝數(shù)相應增加，產(chǎn)生較低的磁通密度和磁心損耗。也可以用另種方法，保持原邊匝數(shù)不變，則控制電路減小脈沖寬度以得到要求的輸出。這會產(chǎn)生較大的脈沖電流幅值，但電壓降落較低。

這些由手機充電器設計者作出選擇.