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電源適配器EMI的高頻等效電路

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電源適配器EMI的高頻等效電路

直流反激電源適配器的高頻EMI等效推導


原邊MOSFET交流電壓分量單獨作用下的差模EMI等效電路從
從差模EMI在高頻段的等效電路可知,差模等效電路的EMI源除了和MOSFET電壓波形、激磁電感、濾波電容的ESR有關(guān)外,還與電源適配器變壓器、輸入濾波電容和引線的其他寄生參數(shù)有關(guān)。這與在低頻段時有很大的差別,同樣的EMI阻抗也與低頻段有很大的差別。

(1)電源適配器-B原邊MOSFET交流電壓分量單獨作用下的共模EMI等效電路

原邊MOSFET交流電壓分量單獨作用下的共模EMI等效電路
從共模EMI在高頻段的等效電路可知,共模等效電路的EMI源除了和電壓波形、MOSFET漏極與散熱器之間的電容有關(guān)外,還與變壓器的層間電容、二極管陰極與散熱器之間的電容及濾波電容的寄生參數(shù)與引線電感等有關(guān)。這與在低頻段時有很大的差別,同樣的EMI阻抗也與低頻段有很大的區(qū)別。

(2):6w電源適配器副邊二極管交流電流分量單獨作用下的EMI等效電路

副邊二極管交流分量單獨作用下的共模EMI的等效電路

從共模EMI在高頻段的等效電路可知,共模等效電路的EMI源除了和副邊二極管電流波形有關(guān)外,還與變壓器的層間電容、二極管陰極與散熱器之間的電容及濾波電容的寄生參數(shù)和引線電感有關(guān)。這與在低頻段時(可看成無共模路徑)有很大的差別。


電源適配器開關(guān)變換器的時變因素與非線性因素主要是由開關(guān)元件導致的。為了使變換器的等效電路成為線性電路,開關(guān)元件平均模型法采取了對開關(guān)元件直接進行分析的方法。

首先對電源適配器開關(guān)元件的電壓或電流變量在一個開關(guān)周期內(nèi)求平均,并用以該平均變量為參數(shù)的受控源代替開關(guān)元件,得到等效的平均參數(shù)電路。平均參數(shù)等效電路消除了變量波形中因開關(guān)動作引起的脈動,即消除了時變因素,但仍然是一個非線性電路。這樣的電路由于同時包含了直流分量與交流分量的作用,稱為大信號等效電路。

其次,若使大信號等效電路中的各平均變量均等于其對應的直流分量,同時考慮到電源適配器直流電路中穩(wěn)態(tài)時電感相當于短路、電容相當于開路,可以得到變換器的直流等效電路,直流等效電路為線性電路;若使大信號等效電路中的各平均變量分解為相應的直流分量與交流小信號分量之和,即分離擾動,并忽略小信號分量的乘積項(即二階微小量)使其線性化,再剔除各變量中的直流量,可以得到變換器的小信號等效電路,小信號等效電路也為線性電路??梢?,開關(guān)元件平均模型法的指導思想仍然是求平均、分離擾動和線性化。


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| 發(fā)布時間:2018.06.23    來源:電源適配器廠家
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