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器件選型與輻射發(fā)射

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器件選型與輻射發(fā)射

電磁兼容問(wèn)題很難解決嗎?防止電磁干擾技術(shù)是高不可攀的技術(shù)難題嗎?都不是,關(guān)鍵是人們對(duì)EMC 沒(méi)有足夠的重視。特別是一些電子、 電工產(chǎn)品生產(chǎn)廠家,缺乏 EMC 意識(shí),缺乏 EMC 對(duì)策技術(shù)知識(shí),同時(shí), 為了降低成本,在產(chǎn)品的設(shè)計(jì)制造過(guò)程中,在應(yīng)該使用抗電磁干擾電子元件的地方卻沒(méi)有使用,以致使產(chǎn)品出現(xiàn) EMC 問(wèn)題。在解決電磁兼容問(wèn)題、 貫徹 EMC 標(biāo)準(zhǔn)過(guò)程中,合理的選擇元件器往往被人們忽略,但元器件選型對(duì)于系統(tǒng)的輻射發(fā)射具有重大的影響。

 

器件導(dǎo)致EMI的原因

大家知道,電磁干擾必須包含三個(gè)要素,即電磁干擾源、電磁干擾傳遞途徑(傳導(dǎo)、輻射、耦合)、及接受電磁干擾的響應(yīng)者。這三個(gè)要素相當(dāng)復(fù)雜,不同的場(chǎng)合有不同的表現(xiàn),總起來(lái)說(shuō),根據(jù)電磁感應(yīng)、趨膚效應(yīng)、電磁振蕩與電磁波傳播等基本物理規(guī)律可知,電磁物理量隨時(shí)間變化越快,越容易感生電磁干擾;頻率越高越容易產(chǎn)生輻射;電磁場(chǎng)強(qiáng)度與距離平方成反比;一些靈敏度高的未屏蔽電路容易產(chǎn)生耦合等等。隨著數(shù)字電路的告訴發(fā)展,電子元器件的發(fā)展趨勢(shì)具有如下幾個(gè)特點(diǎn)。

 

1 高頻化

近年來(lái),電子產(chǎn)品向高頻化發(fā)展的趨勢(shì)十分明顯。譬如LANSWITCH 工作時(shí)鐘達(dá)到 125MHz, 傳輸產(chǎn)品最高工作頻率已經(jīng)達(dá)到 1GHz 以上。信號(hào)頻率越高,越容易產(chǎn)生輻射和耦合,而且越難抑制和屏蔽,致使電磁干擾加劇。

 

2 高速數(shù)字化

數(shù)字電路是常見(jiàn)的電磁干擾源,同時(shí)數(shù)字電路的抗電磁干擾能力較弱,在電磁干擾下有時(shí)會(huì)產(chǎn)生誤動(dòng)作,隨著數(shù)字電路的高速化,脈沖信號(hào)的上升/下降時(shí)間不超過(guò)信號(hào)周期的 5%, 這樣陡的快速跳變信號(hào)包含了更多的頻率更高的高次諧波分量。 這樣,就更容易產(chǎn)生電磁干擾。

 

3 高密度組裝

高密度組裝的SMT 電路,以及密度更高的 MCM 組裝方式,大大提高了電子元器件、 IC、機(jī)電部件的堆積密度,使電子元器件間的距離大大縮小,引腳間距和布線間距已縮小到 0.2mm,大大加劇了相互間的耦合,因而增加了抗電磁干擾的難度。

 

4 低電壓化

我們當(dāng)然希望我們的一塊單板上實(shí)現(xiàn)盡量多的功能,這樣就需要節(jié)省電源和縮小體積,要求IC 及半導(dǎo)體有源器件的工作電壓降低,向低電壓方向發(fā)展。但是電壓降低之后,它們對(duì)瞬變電壓、浪涌電壓、靜電放電等電磁干擾的抵抗能力明顯下降,因而對(duì)電磁環(huán)境提出了更高的要求。反之, 對(duì)電子產(chǎn)品對(duì)外的干擾水平有了更為嚴(yán)格的要求。


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| 發(fā)布時(shí)間:2018.05.25    來(lái)源:電源適配器廠家
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