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研究人員發(fā)現(xiàn)降低GaAs電路成本的新方法

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研究人員發(fā)現(xiàn)降低GaAs電路成本的新方法

MIT研究人員發(fā)現(xiàn)一種用于大規(guī)模生產高貴電路的新型「復制/貼上」方法,<接下來。制造上覆石墨稀的「供體」晶圓后,采用「沉積-剝離」的方式,降低電路與下層晶圓的本錢。

電源適配器

美國麻省理工學院(MIT研究人員近發(fā)明了一種用于大規(guī)模生產高貴電路的新型「復制/貼上」(copy/past方法。這項技術是制造上覆石墨稀的「供體」(donor晶圓后,采用「沉積-剝離」(復制/貼上)方式,從而降低電路與下層晶圓的本錢。


該技術能有助于制造商以較簡單且低成本的方式,結合硅(Si以及諸如用于晶體管管信道的砷化鎵(GaA 等昂貴材料。


麻省理工學院教授JeehwanKim表示,「我利用了石墨烯的強度及其潤滑的特質,而非其電氣性能,因而可制造高貴資料的極薄電路,從而大幅降低使用特殊資料的總成本?!?


例如,目前,英特爾(IntelIBM等許多制造商正致力于硅晶圓上生長GaA 晶體管信道,但由于硅與GaA 之間的晶格無法匹配,終究無法達到高質量的結果。然而,據(jù)Kim表示,采用遠程外延的方式,能夠分別從石墨烯頂部供體晶圓剝離的GaA 薄層上制造這些GaA 信道,并接合于硅晶圓上,而不至于造成任何晶格不匹配的問題。


研究人員利用僅堆積單原子層厚的石墨烯單層方式,形成了供體晶圓。由于石墨烯接合至供體晶圓頂部且「可滑動」,因而可在此堆棧頂部制造高貴的資料薄層,而又不至于黏在該供體晶圓上。Kim研究團隊再從供體晶圓上簡單地剝離昂貴的頂部半導體層,然后移植到低廉的基板(例如硅基板)上。這種低成本的基板甚至可用芯片中的源極與汲極制圖,然后進行蝕刻而將GaA 信道添加到其他CMOS電路。由于不存在晶格不匹配的問題,所取得具有GaA 信道的硅晶晶體管將逾越今所用的任何硅信道晶體管。


研究人員在石墨烯上生長發(fā)光二極管(LED剝離后再放置于另一基板上 來源:MIT


由于石墨烯比鋼強600倍,而且能與下方供體晶圓緊密地接合,使得這一過程得以不時地重復,如同用于大規(guī)模生產橡膠車輪的鋼模具,有助于石墨烯大量生產結合特殊資料的CMOS晶圓。這些特殊資料自身還可用于LED太陽能電池、高功率晶體管或其他組件。研究團隊宣稱,單供體晶圓采用這種「復制-貼上」的方式目前還沒有次數(shù)的限制。


該研究團隊已經實驗證實了采用特殊資料降低本錢的可行性,包括GaA 磷化銦(InP和磷化鎵(GaP等特殊材料,還將特殊材料的主動層移植到低成本的軟性基板上,勝利地制造出LED


從硅晶圓上剝離鎳薄膜,展現(xiàn)使用2D資料轉換晶圓制程的概念 來源:Jose-LuiOlivar/MIT


接下來,研究人員計劃嘗試用于服裝和其他穿戴式材料上的技術,并試圖堆棧多層以發(fā)明更復雜的組件。


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| 發(fā)布時間:2017.04.25    來源:電源適配器
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