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EMC等測試之前的注意細(xì)節(jié)

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EMC等測試之前的注意細(xì)節(jié)

1、溫升測試,45℃烤箱環(huán)境,輸入90,264時(shí)變壓器磁芯,線包不超過110℃,PCB在130℃以內(nèi)。其他的元器件具體值參考下安規(guī)要求,溫度難整的一般都是變壓器。


2、絕緣耐壓測試DC500V,阻值大于100MΩ,初次級打AC3000V時(shí)間60S,小于10mA,產(chǎn)線量產(chǎn)可以打AC3600V,6S。建議采用直流電壓DC4242打耐壓。耐壓電流設(shè)置10mA,測試過程中測試儀器報(bào)警,要檢查初次級距離,初級到外殼,次級到外殼距離,能把測試室拉上窗簾更好,能快速找到放電的位置的電火花。


3、對地阻抗,一般要小于0.1Ω,測試條件電流40A。


4、ESD一般要求接觸4K,空氣8K,有個(gè)電阻電容模型問題。一般會把等級提高了打,打到高的接觸8K,空氣15K。打ESD時(shí),共模電感底下有放電針的話,放電針會放電。電源的ESD還會在散熱器與不同元器件之間打火,一般是距離問題和PCB的layout問題。打ESD打到15K把電源打壞就知道自己做的電源能抗多大的電壓,做安規(guī)認(rèn)證時(shí),心里有底。如果客戶有要求更高的電壓也知道怎么處理。參考EN61000-4-2。


5、EFT這個(gè)沒有出現(xiàn)過問題2KV。參考EN61000-4-4。


6、雷擊,差模1K,共模2K,采用壓敏14D471,有輸入大電解,走線沒有大問題基本PASS。碰到過雷擊不過的情況,小功率5W,10W的打掛了,采用能抗雷擊的電解電容。單極PFC做反激打掛了MOSFET,在輸入橋堆后加入二極管與電解電容串聯(lián),電容吸收能量。LED電源打2K與4K的情況,4KV就要采用壓敏電阻+GDT的形式。參考EN61000-4-5。


EFT,ESD,SURGE有A,B,C等級。一般要A等級:干擾對電源無影響。

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7、低溫起機(jī)。一般便宜的電源,溫度范圍是0-45℃,貴的,工業(yè)類,或者LED什么的有要求-40℃-60℃,甚至到85℃。-40℃的時(shí)候輸入NTC增大了N倍,輸入電解電容明顯不夠用了,ESR很大,還有PFC如果用500V的MOSFET也是有點(diǎn)危險(xiǎn)的(低溫時(shí)MOSFET的耐壓值變低)。之前碰到過90V輸入的時(shí)候輸出電壓跳,或者是LED閃幾次才正常起來。增加輸入電容容量,改小NTC,增加VCC電容,軟啟動(dòng)時(shí)間加長,初級限流(輸入容量不夠,導(dǎo)致電壓很低,電流很大,觸發(fā)保護(hù))從1.2倍放大到1.5倍,IC的VCC繞組增加2T輔助電壓抬高;查找保護(hù)線路是否太極限,低溫被觸發(fā)(如PFC過壓易被觸發(fā))。

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| 發(fā)布時(shí)間:2017.04.06    來源:電源適配器工廠
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