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電源適配器EMI的高頻等效電路

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電源適配器EMI的高頻等效電路

直流反激電源適配器的高頻EMI等效推導(dǎo)


原邊MOSFET交流電壓分量單獨(dú)作用下的差模EMI等效電路從
從差模EMI在高頻段的等效電路可知,差模等效電路的EMI源除了和MOSFET電壓波形、激磁電感、濾波電容的ESR有關(guān)外,還與電源適配器變壓器、輸入濾波電容和引線的其他寄生參數(shù)有關(guān)。這與在低頻段時(shí)有很大的差別,同樣的EMI阻抗也與低頻段有很大的差別。

(1)電源適配器-B原邊MOSFET交流電壓分量單獨(dú)作用下的共模EMI等效電路

原邊MOSFET交流電壓分量單獨(dú)作用下的共模EMI等效電路
從共模EMI在高頻段的等效電路可知,共模等效電路的EMI源除了和電壓波形、MOSFET漏極與散熱器之間的電容有關(guān)外,還與變壓器的層間電容、二極管陰極與散熱器之間的電容及濾波電容的寄生參數(shù)與引線電感等有關(guān)。這與在低頻段時(shí)有很大的差別,同樣的EMI阻抗也與低頻段有很大的區(qū)別。

(2):6w電源適配器副邊二極管交流電流分量單獨(dú)作用下的EMI等效電路

副邊二極管交流分量單獨(dú)作用下的共模EMI的等效電路

從共模EMI在高頻段的等效電路可知,共模等效電路的EMI源除了和副邊二極管電流波形有關(guān)外,還與變壓器的層間電容、二極管陰極與散熱器之間的電容及濾波電容的寄生參數(shù)和引線電感有關(guān)。這與在低頻段時(shí)(可看成無共模路徑)有很大的差別。


電源適配器開關(guān)變換器的時(shí)變因素與非線性因素主要是由開關(guān)元件導(dǎo)致的。為了使變換器的等效電路成為線性電路,開關(guān)元件平均模型法采取了對(duì)開關(guān)元件直接進(jìn)行分析的方法。

首先對(duì)電源適配器開關(guān)元件的電壓或電流變量在一個(gè)開關(guān)周期內(nèi)求平均,并用以該平均變量為參數(shù)的受控源代替開關(guān)元件,得到等效的平均參數(shù)電路。平均參數(shù)等效電路消除了變量波形中因開關(guān)動(dòng)作引起的脈動(dòng),即消除了時(shí)變因素,但仍然是一個(gè)非線性電路。這樣的電路由于同時(shí)包含了直流分量與交流分量的作用,稱為大信號(hào)等效電路。

其次,若使大信號(hào)等效電路中的各平均變量均等于其對(duì)應(yīng)的直流分量,同時(shí)考慮到電源適配器直流電路中穩(wěn)態(tài)時(shí)電感相當(dāng)于短路、電容相當(dāng)于開路,可以得到變換器的直流等效電路,直流等效電路為線性電路;若使大信號(hào)等效電路中的各平均變量分解為相應(yīng)的直流分量與交流小信號(hào)分量之和,即分離擾動(dòng),并忽略小信號(hào)分量的乘積項(xiàng)(即二階微小量)使其線性化,再剔除各變量中的直流量,可以得到變換器的小信號(hào)等效電路,小信號(hào)等效電路也為線性電路??梢?,開關(guān)元件平均模型法的指導(dǎo)思想仍然是求平均、分離擾動(dòng)和線性化。


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| 發(fā)布時(shí)間:2018.06.23    來源:電源適配器廠家
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